住友電気工業／高品質SiCｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ基板｢EpiEra(R)｣を量産開始｜物流ﾆｭｰｽ

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■住友電気工業／高品質SiCｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ基板｢EpiEra(R)｣を量産開始

高品質SiCｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ基板｢EpiEra(R)｣を量産開始
　
　当社は､ｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ層に含まれる欠陥を極限まで低減したSiCﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽ用ｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ基板｢EpiEra(R)｣の生産･販売を開始しました｡

　ﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽは電力制御を目的とした半導体ﾃﾞﾊﾞｲｽで､電力､鉄道､自動車､家電などの様々な分野で使われており､近年は､より高効率でｴﾈﾙｷﾞｰﾛｽの少ないﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽが求められています｡

　その中でもSiC（炭化ｹｲ素）は､ﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽの低損失･高効率･小型化を可能にする点で最も注目されている材料のひとつです｡当社はSiCﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽの基盤材料であり､その性能･信頼性に大きく影響を与えるSiCｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ基板の開発を進めてきました｡

　このたび当社は､長年培ってきた化合物半導体の技術に加え､高精度ｼﾐｭﾚｰｼｮﾝなどを取り入れた当社独自技術の｢MPZ(R)（＊1）｣を活用し､4ｲﾝﾁ（100mm径）及び6ｲﾝﾁ（150mm径）の高品質SiCｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ基板｢EpiEra(R)｣の製品化に成功し､量産を開始しました｡

　｢EpiEra(R)｣は表面欠陥（＊2）や基底面転位（＊3）が存在しない領域の面積率（DFA率（＊4））において､業界最高ﾚﾍﾞﾙの99%以上を達成しています｡これにより､SiCﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽのさらなる品質の向上と安定化が見込まれます｡

　本製品は､2017年9月17日（日）～22日（金）に米国･ﾜｼﾝﾄﾝD.C.で開催されるSiC及び関連材料に関する国際会議｢ICSCRM 2017｣の併設展示会に出展予定です｡

　当社は､今後も高効率でｴﾈﾙｷﾞｰﾛｽの少ないﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽ製品の開発を進め､ﾊﾟﾜｰｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ産業の発展に貢献してまいります｡

　※参考画像は添付の関連資料を参照

　＊1 MPZ:Multi-Parameter and Zone controlled SiC Growth Technologyの略｡SiC成長過程に応じてｼﾐｭﾚｰｼｮﾝも活用し､温度や圧力などの種々のﾊﾟﾗﾒｰﾀを高精度に制御する当社独自のSiC成長技術｡

　＊2 表面欠陥:ｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ層の表面に現れる結晶欠陥で､ﾃﾞﾊﾞｲｽの歩留りに影響を与える｡

　＊3 基底面転位:SiC単結晶の基底面に発生する転位で､製品の信頼性に影響を与える｡

　＊4 DFA率:表面欠陥や基底面転位が存在しない領域（Defect Free Area）の面積率｡

以上