昭和電工／ﾊﾟﾜｰ半導体用SiCｴﾋﾟｳｪﾊｰ高品質ｸﾞﾚｰﾄﾞ品の生産能力増強｜物流ﾆｭｰｽ

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■昭和電工／ﾊﾟﾜｰ半導体用SiCｴﾋﾟｳｪﾊｰ高品質ｸﾞﾚｰﾄﾞ品の生産能力増強

ﾊﾟﾜｰ半導体用SiCｴﾋﾟｳｪﾊｰ高品質ｸﾞﾚｰﾄﾞ品の生産能力増強

2017年9月14日
　昭和電工株式会社（社長：森川宏平）は､ﾊﾟﾜｰ半導体の材料である炭化ｹｲ素（以下､SiC）ｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙｳｪﾊｰ（以下､ｴﾋﾟｳｪﾊｰ）の高品質ｸﾞﾚｰﾄﾞｴﾋﾟｳｪﾊ―｢ﾊｲｸﾞﾚｰﾄﾞｴﾋﾟ（以下､HGE）｣の生産能力増強を決定しました｡2018年4月から稼働開始し､月産能力は現在の3000枚から5000枚（注１）に拡大します｡
　SiCﾊﾟﾜｰ半導体は､現在主流のSi（ｼﾘｺﾝ）に比べ耐高温･耐電圧･大電流特性に優れた半導体材料で､電力制御に用いるﾓｼﾞｭｰﾙの軽量･小型化と省ｴﾈﾙｷﾞｰ化に貢献することから､次世代ﾊﾟﾜｰ半導体として注目されています｡ﾃﾞｰﾀｾﾝﾀｰのｻｰﾊﾞｰ用電源､新ｴﾈﾙｷﾞｰの分散型電源に加え､近年は鉄道車両のｲﾝﾊﾞｰﾀﾓｼﾞｭｰﾙや電気自動車用急速充電ｽﾀﾝﾄﾞでも採用が進み､2020年までのSiCﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽ市場は年率27％と大きな伸びが見込まれています（注２）｡
　高電圧･大電流に耐えうるﾊﾟﾜｰﾓｼﾞｭｰﾙには主にSBD（注３）とMOSFET（注４）が搭載されていますが､現状はSiC-SBDの量産化が先行し､SiC-MOSFETの実用化には欠陥の低減が課題となっていました｡当社が開発したHGEは､代表的な結晶欠陥である基底面転位（注５）を0.1個/cm2以下に抑えたｴﾋﾟｳｪﾊｰです｡2015年10月の販売開始以降､国内外のﾃﾞﾊﾞｲｽﾒｰｶｰから高い評価を受け､SiC-SBD用途に加え､SiC-MOSFETの実用化に向けた採用も進んでいます｡HGEの生産体制は現在ﾌﾙ稼働が続いており､来年以降SiC－MOSFET市場の本格的な立ち上がりが見込まれることから､今回の能力増強を決定しました｡
　SiCﾊﾟﾜｰ半導体は車載での早期実用化も検討されており､SiCｴﾋﾟｳｪﾊｰの市場規模は2020年に200億円規模に拡大すると予想されます（注６）｡当社は今後も市場の高品質化要求に応え､省ｴﾈﾙｷﾞｰ化に貢献してまいります｡
以上
（注1）1200V耐圧用ﾃﾞﾊﾞｲｽ仕様での換算
（注2）富士経済｢2017年版次世代ﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽ＆ﾊﾟﾜｴﾚ関連機器市場の現状と将来展望｣
（注3）ｼｮｯﾄｷｰﾊﾞﾘｱﾀﾞｲｵｰﾄﾞ（Schottky Barrier Diode）
（注4）金属酸化膜半導体電界効果ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）｡駆動時の電力ﾛｽが小さく､高速ｽｲｯﾁﾝｸﾞを行う論理回路に適している｡
（注5）基底面転位...SiC単結晶の基底面に発生する転位
（注6）当社推定