昭和電工／ﾊﾟﾜｰ半導体用ＳｉＣｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙｳｪﾊｰ生産能力を２．５倍に増強｜物流ﾆｭｰｽ

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■昭和電工／ﾊﾟﾜｰ半導体用ＳｉＣｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙｳｪﾊｰ生産能力を２．５倍に増強

ﾊﾟﾜｰ半導体用ＳｉＣｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙｳｪﾊｰ生産能力を２．５倍に増強－次世代ｲﾝﾊﾞｰﾀｰの実用化･市場拡大に寄与－　昭和電工株式会社（社長：市川　秀夫）は､当社秩父事業所（埼玉県秩父市）で生産する表面平滑性が高く結晶欠陥が制御されたﾊﾟﾜｰ半導体用４ｲﾝﾁ径ＳｉＣ（炭化ｼﾘｺﾝ）ｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙｳｪﾊｰの生産能力を､設備の増設と生産技術の向上により､従来の２．５倍にあたる月産１，５００枚まで増強いたしました｡　ＳｉＣｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙｳｪﾊｰを用いるＳｉＣﾊﾟﾜｰ半導体は現在主流のＳｉ（ｼﾘｺﾝ）半導体に比較し高電圧大電流に耐えられる性質と高温環境下でも動作する特長を持ちます｡この特長により部品構成点数の削減と冷却装置の小型化が可能となるため､電力制御に使用するﾓｼﾞｭｰﾙの軽量･小型化を図ることができます｡また､電力制御の際のｴﾈﾙｷﾞｰ損失も削減できることから､Ｓｉ半導体に比べ大幅な省ｴﾈﾙｷﾞｰ化が達成できます｡　これらの理由により､ＳｉＣﾊﾟﾜｰ半導体は自動車･鉄道車両･産業機器･家電製品等さまざまな分野において､特にﾓｰﾀｰの回転制御等に用いられるｲﾝﾊﾞｰﾀｰ（直流電力を交流電力に変換する装置）向けに大きな需要が期待されています｡既に一部家電製品や新ｴﾈﾙｷﾞｰ分散電源での実用化､地下鉄車両への試験搭載が始まっており､今後､電気自動車やﾊｲﾌﾞﾘｯﾄﾞｶｰといったｴｺｶｰへの搭載も進むものと予想されています｡　これらのｲﾝﾊﾞｰﾀｰには､ＳｉＣﾊﾟﾜｰ半導体のＳＢＤ（＊）と､ＭＯＳＦＥＴ（＊＊）が組み込まれます｡特にＭＯＳＦＥＴはｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙｳｪﾊｰ表面に形成する酸化膜をﾃﾞﾊﾞｲｽ動作に用いることから､ｳｪﾊｰ表面の平滑性が重要とされています｡当社のｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙｳｪﾊｰは高平滑表面を持つことから､高品質が求められるＭＯＳＦＥＴ向けのｸﾞﾚｰﾄﾞとして高い評価をいただいております｡　当社は､今回の生産能力増強に引き続き､現状最大４ｲﾝﾁ径である口径の一層の大型化と低欠陥化､特性均一性の向上を進め､６ｲﾝﾁ径及び大電流･高耐圧ﾃﾞﾊﾞｲｽ用途ｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙｳｪﾊｰの開発を加速してまいります｡以上