田中貴金属工業／次世代半導体の微細化技術に使われる薄膜材料の供給拠点を台湾･韓国･ｱﾒﾘｶに開設､納期とｺｽﾄを半減｜物流ﾆｭｰｽ

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■田中貴金属工業／次世代半導体の微細化技術に使われる薄膜材料の供給拠点を台湾･韓国･ｱﾒﾘｶに開設､納期とｺｽﾄを半減

田中貴金属工業､次世代半導体の微細化技術に使われる薄膜材料の供給拠点を台湾･韓国･ｱﾒﾘｶに開設､納期とｺｽﾄを半減線幅１０ﾅﾉ台の量産向け―ｻﾌﾟﾗｲﾁｪｰﾝをﾘｽｸ分散　ＴＡＮＡＫＡﾎｰﾙﾃﾞｨﾝｸﾞｽ株式会社（本社：東京都千代田区､代表取締役社長：岡本英彌）は､田中貴金属ｸﾞﾙｰﾌﾟの製造事業を展開する田中貴金属工業株式会社（本社：東京都千代田区､代表取締役社長：岡本英彌）が､次世代半導体の微細化技術に使われる薄膜材料（貴金属ﾌﾟﾘｶｰｻ（※１））の供給拠点を台湾（新竹市）と韓国（仁川広域市）､ｱﾒﾘｶ（ｺﾈﾁｶｯﾄ州）に開設し､２０１２年７月中に供給開始することを発表します｡　これにより､半導体主要ﾒｰｶｰが集まるｱｼﾞｱ各国とｱﾒﾘｶの現地顧客に対して､日本から貴金属ﾌﾟﾘｶｰｻを輸出する場合と比べて納期を半分に短縮できることに加え､顧客はﾌﾟﾘｶｰｻのﾄｰﾀﾙｺｽﾄを半減させることが可能になります｡なお､田中貴金属工業は､貴金属ﾌﾟﾘｶｰｻに使用される３年間分のﾙﾃﾆｳﾑを既に調達しているため､安定的にﾙﾃﾆｳﾑﾌﾟﾘｶｰｻを供給することができます｡また､各拠点が製品在庫を保管できるため､自然災害や社会ｲﾝﾌﾗの障害などに対して､製品ｻﾌﾟﾗｲﾁｪｰﾝ（供給網）のﾘｽｸ分散を図ることができます｡■１０ﾅﾉﾒｰﾄﾙ台以降の半導体製造に必要なﾙﾃﾆｳﾑﾌﾟﾘｶｰｻ　ﾙﾃﾆｳﾑは､半導体の微細な銅配線下地や､ＤＲＡＭ（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しﾒﾓﾘｰ）ｷｬﾊﾟｼﾀ電極などの材料として注目されています｡微細化の進む半導体市場では現在､回路線幅３０ﾅﾉ（ﾅﾉは１０億分の１）ﾒｰﾄﾙ台が主流であり､２０１２年以降に２０ﾅﾉﾒｰﾄﾙ台の次世代半導体を量産し始め､２０１３年末には１０ﾅﾉﾒｰﾄﾙ台の量産を始めると言われています｡　１０ﾅﾉﾒｰﾄﾙ台以降の微細配線を実現するため､様々な微細化技術が開発される中､半導体ﾒｰｶｰ各社は､低抵抗で銅との相性が良いﾙﾃﾆｳﾑ薄膜を銅めっきの下地に施すことで､銅めっきの埋め込み性の改善する方法を検討しています｡田中貴金属工業は､微細化技術として用いられる化学的気相成長法（ＣＶＤ）（※２）や原子層堆積法（ＡＬＤ）（※３）といった成膜技術の材料となる様々なﾙﾃﾆｳﾑﾌﾟﾘｶｰｻを開発･提供しており､現在､半導体ﾒｰｶｰ各社に対してｻﾝﾌﾟﾙ出荷を行っております｡　ﾙﾃﾆｳﾑﾌﾟﾘｶｰｻを海外へ納品する場合､従来は日本でﾙﾃﾆｳﾑﾌﾟﾘｶｰｻを製造して容器に充填したものを現地顧客へ輸送する必要があるため､発注から納品までに２０日間程度を要します｡今回の開設により､日本で製造したﾌﾟﾘｶｰｻを各供給拠点で容器へ充填して在庫保管できるため､納品期間を１０日間以下にまで短縮できます｡さらに､輸送費の低ｺｽﾄ化により､従来の供給体制に比べて､顧客はﾌﾟﾘｶｰｻのﾄｰﾀﾙｺｽﾄを半減させることが可能になります｡■３年間分のﾙﾃﾆｳﾑを調達､ﾘｻｲｸﾙﾌﾟﾛｾｽも整備　価格競争および技術競争の激しい半導体業界において､材料のｺｽﾄﾀﾞｳﾝと安定供給は不可欠です｡このたびの現地供給開始にあたり､田中貴金属工業は､貴金属ﾌﾟﾘｶｰｻに使用される３年間分のﾙﾃﾆｳﾑを調達し､ﾙﾃﾆｳﾑﾌﾟﾘｶｰｻの安定的な供給体制を確立しました｡さらに､有価物として回収されることなく廃棄されていたﾙﾃﾆｳﾑﾌﾟﾘｶｰｻを､地金に戻さず､新品同様のﾙﾃﾆｳﾑﾌﾟﾘｶｰｻに精製することができるﾘｻｲｸﾙﾌﾟﾛｾｽを確立し､特許を取得しております｡これにより材料ｺｽﾄを約２０％低減することができるほか､地金価格変動のﾘｽｸを低減できるため､半導体ﾒｰｶｰは半導体製造におけるﾄｰﾀﾙｺｽﾄをさらに低減することができます｡　当社では､このﾙﾃﾆｳﾑﾌﾟﾘｶｰｻを､２０１７年までに年間１０億円販売することを目指しております｡今後は微細化技術に用いられる白金やｲﾘｼﾞｳﾑ､ﾆｯｹﾙなど他の成膜材料についても３拠点で供給することを検討しながら､顧客の開発ﾆｰｽﾞに対する支援体制を強化してまいります｡＜用語解説＞（※１）ﾌﾟﾘｶｰｻ：ある物質ができる前の物質のこと｡前駆体｡（※２）化学気相成長法：材料を昇華させ､ｳｪﾊ上へ薄膜を作る方法｡　　　　ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）とも呼ばれる｡（※３）原子層堆積成膜法：原子ﾚﾍﾞﾙでｳｪﾊ上へ薄膜を作る方法｡　　　　ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）とも呼ばれる｡