昭和電工／ﾊﾟﾜｰ半導体用SiCｴﾋﾟｳｪﾊｰ高品質ｸﾞﾚｰﾄﾞの生産能力増強｜物流ﾆｭｰｽ

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■昭和電工／ﾊﾟﾜｰ半導体用SiCｴﾋﾟｳｪﾊｰ高品質ｸﾞﾚｰﾄﾞの生産能力増強

ﾊﾟﾜｰ半導体用SiCｴﾋﾟｳｪﾊｰ高品質ｸﾞﾚｰﾄﾞの生産能力増強－HGEを量産､ﾌﾙSiCﾊﾟﾜｰﾓｼﾞｭｰﾙの実用化に貢献－

2016年6月9日
昭和電工株式会社（社長：市川秀夫）は､ﾊﾟﾜｰ半導体の材料である炭化ｹｲ素（以下､SiC）ｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙｳｪﾊｰ（以下､ｴﾋﾟｳｪﾊｰ）の高品質ｸﾞﾚｰﾄﾞ｢ﾊｲｸﾞﾚｰﾄﾞｴﾋﾟ（以下､HGE）｣において､月産3000枚（注1）の生産体制を確立し､量産を開始しました｡HGEは､昨年10月に当社が開発した､結晶欠陥を大幅に削減したSiCｴﾋﾟｳｪﾊｰです（注2）｡昨年10月の上市以降､国内外のﾃﾞﾊﾞｲｽﾒｰｶｰへのｻﾝﾌﾟﾙ出荷に積極的に取組み､良好な評価を得ています｡HGEでは､代表的な結晶欠陥である基底面転位（注3）を0.1個/cm2以下に抑えることにより､SiC-MOSFET（注4）の信頼性向上に寄与します｡また､従来技術では生産困難と言われていたﾊﾞｲﾎﾟｰﾗﾃﾞﾊﾞｲｽ向けの厚膜（注5）およびp型（注6）ｴﾋﾟｳｪﾊｰも､低欠陥化技術の確立によって量産可能となりました｡当社が販売する厚膜HGEは､発電･送電系統向け超高耐圧ﾃﾞﾊﾞｲｽであるSiC-IGBT（注7）開発に大きく貢献するものと期待されます｡SiCﾊﾟﾜｰ半導体は車載での早期実用化も検討されており､SiCｴﾋﾟｳｪﾊｰの市場規模は､2025年に1,000億円規模に拡大すると予想されています｡当社は今後も市場の高品質化要求に応え､省ｴﾈﾙｷﾞｰ化に貢献してまいります｡
以上
（注1）1200V耐圧用ﾃﾞﾊﾞｲｽ仕様での換算｡（注2）ご参考： 2015年10月2日当社ﾌﾟﾚｽﾘﾘｰｽ｢欠陥密度を大幅低減したﾊﾟﾜｰ半導体用SiCｴﾋﾟｳｪﾊｰを販売｣（注3）基底面転位...SiC単結晶の基底面に発生する転位｡（注4）MOSFET...金属酸化膜半導体電界効果ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）　　　　駆動時の電力ﾛｽが小さく､高速ｽｲｯﾁﾝｸﾞを行う論理回路に適している｡（注5）超高耐圧ﾃﾞﾊﾞｲｽとして100μm以上の膜厚が必要となる｡1μm=1000分の1mm（注6）p型...半導体における電気伝導の型で､多数ｷｬﾘｱが正の電荷を持つ正孔（ﾎｰﾙ）の場合をp型､　　　　負の電荷を持つ電子の場合をn型と称する｡（注7）IGBT...絶縁ｹﾞｰﾄﾊﾞｲﾎﾟｰﾗ･ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ（Insulated Gate Bipolar Transistor）　　　　MOSFETの高速ｽｲｯﾁﾝｸﾞ性能とﾊﾞｲﾎﾟｰﾗ･ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀの高電圧･大電流処理能力を併せ持つ｡
〈ご参考〉1cm2あたりのHGEの欠陥密度

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4ｲﾝﾁ品
6ｲﾝﾁ品

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?30μm
?100μm
30μm

表面欠陥
0.04個
0.33個
0.04個

基底面転位
0.02個
0.01個

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