昭和電工／ﾊﾟﾜｰ半導体用SiCｴﾋﾟｳｪﾊｰ 6ｲﾝﾁ品の生産能力増強｜物流ﾆｭｰｽ

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■昭和電工／ﾊﾟﾜｰ半導体用SiCｴﾋﾟｳｪﾊｰ 6ｲﾝﾁ品の生産能力増強

ﾊﾟﾜｰ半導体用SiCｴﾋﾟｳｪﾊｰ 6ｲﾝﾁ品の生産能力増強－生産性と品質向上で次世代ﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽの普及に貢献－
2014年9月22日
　昭和電工株式会社（社長：市川秀夫）は､ﾊﾟﾜｰ半導体の材料である炭化ｹｲ素（SiC）ｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙｳｪﾊｰ（以下､ｴﾋﾟｳｪﾊｰ）の6ｲﾝﾁ（150mm）品の生産能力を月産400枚から1,100枚に増強しました｡これにより､当社の月産能力は4ｲﾝﾁ（100mm）換算で従来*の約6割増となる2,500枚になりました｡また､高性能ﾃﾞﾊﾞｲｽに対応し､低欠陥化を進め均一性を向上させた新ｸﾞﾚｰﾄﾞ製品の出荷を10月より開始いたします｡
　SiCﾊﾟﾜｰ半導体は､現在主流のｼﾘｺﾝ（Si）製に比べ耐高温･高電圧特性や大電流特性に優れ､電力損失も大幅に削減できることから､電力制御に用いるﾓｼﾞｭｰﾙの軽量･小型化と高効率化を実現する次世代型ﾊﾟﾜｰ半導体として注目されています｡すでにﾃﾞｰﾀｾﾝﾀｰのｻｰﾊﾞｰ電源や新ｴﾈﾙｷﾞｰの分散型電源､地下鉄車両に採用されていますが､先般､自動車への搭載が表明されるなど､今後､一層の需要拡大が期待されています｡
　当社はSiCｴﾋﾟｳｪﾊｰに関して3ｲﾝﾁ（76.2mm）品､4ｲﾝﾁ品､および6ｲﾝﾁ品の製造､販売を行っており､特にﾃﾞﾊﾞｲｽの生産効率が高い大口径6ｲﾝﾁ品の供給を拡大するため､全ｻｲｽﾞに対応可能なCVD装置**を増設しました｡新装置は従来装置に比べｴﾋﾟの生産効率性が約30%高く､ﾃﾞﾊﾞｲｽのさらなるｺｽﾄ低減にも貢献します｡
　加えて､将来の市場拡大が期待される自動車､発送電､高速鉄道向けのﾓｼﾞｭｰﾙでは､一層の大電流容量が求められています｡ｴﾋﾟｳｪﾊｰから生産されるSiCﾁｯﾌﾟの大型化に伴うﾁｯﾌﾟ生産時の歩留まり悪化を防ぐため､当社では､ｴﾋﾟｳｪﾊｰの表面欠陥を低減させた新ｸﾞﾚｰﾄﾞ品***を10月より販売します｡これにより､上記用途向けの大型ﾁｯﾌﾟの収率（歩留まり）は従来品に比べ10％以上の向上が見込めます****｡
　SiCﾊﾟﾜｰ半導体の市場規模は2020年に300億円規模に拡大すると予想されています｡当社は今後も市場の要求品質に応え､市場形成に貢献してまいります｡
　以上
* 増強前の生産能力 4ｲﾝﾁ換算で1,500枚／月** 成膜装置*** 現状の欠陥密度の平均値0.5個／cm2に対し､新ｸﾞﾚｰﾄﾞ品は平均0.25個／cm2****7mm2~10mm2のﾁｯﾌﾟでの想定
SiCｴﾋﾟｳｪﾊｰ（左より6ｲﾝﾁ品､4ｲﾝﾁ品､3ｲﾝﾁ品）