ルネサス テクノロジ／タグリーダー、無線LAN端末等用の送信電力増幅装置製品化
無線LAN端末等のパワーアンプ向けに、業界最高レベルの性能を実現したSiGeパワートランジスタを製品化
−； 2.4GHzと5GHzのデュアルバンドに対応し、低消費電力の機器を実現可能 −；
株式会社ルネサス テクノロジ（本社： 東京都千代田区、会長＆CEO 伊藤 達）は、このたび、無線LAN端末やデジタルコードレス電話、RF（Radio Frequency）タグリーダー/ライター等向けに、業界最高レベルの性能を実現した高性能SiGe HBT（注1）パワートランジスタ「RQG2003」を製品化しました。2007年3月からサンプル出荷を開始します。
本製品は、無線LAN端末等のRFフロントエンドにおいて、送信電力を増幅するパワーアンプ用のトランジスタであり、当社従来品「HSG2002」の後継品です。
主な特長は、以下の通りです。
（1） 業界最高レベルの性能により、機器の低消費電力化が可能
本製品の5GHz帯と2.4GHz帯の各性能は、以下のとおり、業界最高レベルの性能を実現しています。
�� 5GHz帯： 5.8GHzで電力利得6.4dB、1dB利得圧縮電力26.5dBm、付加効率（注2）33.6%。
�� 2.4GHz帯： 2.4GHzで電力利得13.0dB、1dB利得圧縮電力26.5dBm、付加効率66.0%。
これらの性能は、当社従来品である「HSG2002」に対して大幅に向上しています。例えば、付加効率で、5.8GHzでは約10%、2.4GHzでは約20%の向上を実現しました。
本性能により、5GHz帯ではIEEE802.11a（注3）対応の無線LAN機器やデジタルコードレス電話等、2.4GHz帯ではIEEE802.11b/g（注3）対応の無線LAN機器や2.4GHzを使用するRFタグのリーダー/ライター機器等の低消費電力化が図れます。
（2） 小型・薄型リードレスパッケージ
パッケージは、小型面実装8ピンWQFN0202（当社外形コード。サイズ：2.0mm×2.0mm×0.8mm）を採用しています。小型、薄型のリードレスパッケージであり、RFフロントエンド送信部の省スペース設計が可能です。
＜製品化の背景＞
近年、ユビキタス社会の実現に向けて無線対応機器が急速に拡大しています。特に、IEEE802.11が定めている2.4GHz帯や5GHz帯を使用した通信方式は、無線LANをはじめとして通信方式の種類や用途の拡大が図られています。2.4GHz帯は、さらなる用途として、携帯機器でのインターネットアクセス、家庭内でのAV機器間伝送の他、携帯電話に搭載される無線LANや物流システムにおけるRFタグなどが検討されており、今後、急速に成長する市場と期待されています。
また、北米におけるデジタルコードレス電話市場のニーズとしては、低価格化と高周波化対応があります。成熟市場であることから機器の低価格化への要望は強く、例えば、送信出力の小さいモデルでのパワーアンプを、従来のモジュールやMMIC（注4）からトランジスタに置き換える傾向があります。その一方で、使用する主な周波数帯は、900MHz帯や2.4GHz帯から5.8GHz帯への高周波化が進んでおり、これに対応した、高出力で高利得、高効率の製品が強く求められています。このため、機器の低価格化の傾向とともに、構成部品としては、今後、性能と価格のバランスがより一層重要になります。
当社は、このような市場に対し、これまで、SiGeパワートランジスタの「HSGシリーズ」やSiGe MMIC（注4）の「HAシリーズ」を製品化し、量産しています。そして、今回、さらなる市場ニーズに対応するため、2.4GHz帯と5GHz帯に対応した高性能SiGeパワートランジスタ｢RQG2003｣を製品化しました。
＜製品の補足＞
1. ｢RQG2003｣について
1つのトランジスタ内に絶縁型トレンチと導通型トレンチを形成する当社独自のダブルトレンチ構造を、当社製品では初めて採用しています。絶縁型トレンチでトランジスタをシリコン基板から絶縁することにより、高周波特性の劣化要因となる寄生容量（基板とトランジスタ間）を低減します。また、導通型トレンチは、ビアホール（注5）によって電極と基板を接続する構造で、ワイヤーボンディングに起因するインダクタンス（注6）を低減可能です。
このダブルトレンチ構造の採用により、2.4GHzと5GHz帯の電力利得及び付加効率の大幅な改善を実現しました。
SiGeベースに炭素を添加するSiGeCプロセスを採用し、かつトランジスタパターンの最適化を行いました。これにより、コレクタの電流密度を向上し、1dB利得圧縮電力を当社従来品の「HSG2002」に対して約1.5dBm向上し、大幅な改善を実現しています。
2. 完全鉛フリーパッケージ
本製品では、チップのダイボンディングに信頼性や導電性を考慮した最適な銀ペースト材を採用しています。また、パッケージの電極部メッキにSn-Bi（錫ビスマス）を使用しており、完全鉛フリーを実現しています。
今後、SiGeトランジスタの「RQGシリーズ」において、LNA（Low Noise Amplifier）用の「RQG1xxx」、PA（Power Amplifier）用の「RQG2xxx」のラインアップを拡充していきます。加えて、SiGe MMICの「RQLシリーズ」で、LNA用の「RQL1xxx」、PA用の「RQL2xxx」の製品化を進め、豊富なラインアップを揃えることで更なる市場ニーズに対応していきます。
■ 注記
（注 1） SiGe HBT： シリコンバイポーラトランジスタのベース領域にゲルマニウムを加えた高周波特性に優れるトランジスタ。
HBTは、Hetero junction Bipolar Transistor（ヘテロ接合 バイポーラ トランジスタ）の略。
（注 2） 付加効率： 電源から増幅器に供給されたDC電力が、出力信号としてRF電力に変換される効率を表す指数。この数値が大きいほど低消費電力化を図れる。
（注 3） IEEE802.11a/b/g： IEEE（Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc、米国電気電子学会）における無線によるLAN（Local Area Network）のワーキンググループ802.11で策定された通信仕様。IEEE802.11aは5GHz帯の規格で、2.4GHz帯の規格としてIEEE802.11b、IEEE802.11gがある。
（注 4） MMICは、Monolithic Microwave Integrated Circuit （モノリシックマイクロ波集積回路）の略。
SiGe MMICは、SiGe（シリコン ゲルマニウム）トランジスタと、抵抗や容量などの受動素子を一体化した集積回路。
（注 5） ビアホール（Via Hole）：
電気的な接続を目的としたスルーホール。ここでは、チップの表面上にあるGND配線と裏面との間をトレンチ及びCVD技術にて電気的に接続させる構造。ワイヤーボンディング起因のインダクタンスを低減させる効果がある。
（注 6） インダクタンス： 配線（ワイヤ）上に自然に存在して高周波電流の変化を妨げる成分であり、配線の長さにほぼ比例した値を持つ。この寄生インダクタンスは、1GHzを超える高周波の領域において電力の損失に大きく影響し、高周波増幅器の利得を低減させるため、できるだけ低減する必要がある。
* 記載の製品名、会社名、ブランドは、それぞれの所有者に帰属します。
以下仕様等は下記アドレスまで。
http：//japan.renesas.com/fmwk.jsp?cnt=press_release20070118.htm&fp=/company_info/news_and_events/press_releases
■ お客様からの問い合わせ先
株式会社ルネサス テクノロジ 汎用製品統括本部 汎用デバイス事業部 製品技術部
〒100-0004 東京都千代田区大手町二丁目6番2号（日本ビル）
電話 03（5201）5241 （ダイヤルイン）
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